本文摘要：前有伏击、后有逃走，三星电子3DNANDflash的霸主宝座将要拱手让人？据理解，美光(Micron)和英特尔(Intel)合力研发3DNAND进展神速，有可能今年底就不会一脚踢进三星，攀上王座。 据报导，美光和英特尔的新加坡合资工厂，今年第一季早已开始量产3DNANDflash，目前每月产量为3,000片，预料年内可纳升到每月4万片。 与此同时，英特尔沈阳厂也将在今年底生产能力魔幻，预计两家美厂的3DNAND生产能力将压过三星。

前有伏击、后有逃走，三星电子3DNANDflash的霸主宝座将要拱手让人？据理解，美光(Micron)和英特尔(Intel)合力研发3DNAND进展神速，有可能今年底就不会一脚踢进三星，攀上王座。　　据报导，美光和英特尔的新加坡合资工厂，今年第一季早已开始量产3DNANDflash，目前每月产量为3,000片，预料年内可纳升到每月4万片。　　与此同时，英特尔沈阳厂也将在今年底生产能力魔幻，预计两家美厂的3DNAND生产能力将压过三星。三星3DNAND每月生产能力大约在2万~4万片之间，大约占到三星总体NAND生产能力的9~18%。

　　美光/英特尔3DNAND技术的平稳速度快于预期。三星劲敌不只美厂，日厂东芝(Toshiba)和韩厂SK海力士(SKHynix)也来势汹汹。SK海力士的3DNAND月底Q2销售，下半年将大力跃进，计划从当前的每月2千片、Q4减至每月2万片。

　　专家认为，尽管三星3DNAND技术领先输掉3年，各方跃进之下，技术差距已毫无意义，明年3DNAND扩产大战将更为白热化，三星有可能会新建产线，以提升生产力居多，应付战局。　　美光5月31日终场跳涨了3.。

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